本站 1 月 13 日消息，据韩媒“每天经济新闻”报道，三星电子正在美国得克萨斯州泰勒市建设一座先进的半导体芯片工厂，该企业声称其获取了美国**提供的 47.4 亿美元（本站备注：当前约 348.34 亿元人民币）激励资金，相应工厂规划于 2026 年开始大规模芯片生产，目标是和台积电展开竞争。

据报道，三星美国泰勒工厂将生产 2 纳米和 3 纳米工艺芯片。企业规划在 2026 年初引入全部必要设备，并在年底前启动量产。相比之下，三星的最大竞争对手台积电已经在其位于美国亚利桑那州的工厂开始生产 4 纳米芯片，并规划在现在内具备生产 2 纳米和 3 纳米芯片的能力。

在技术上，三星将在 2 纳米和 3 纳米工艺中采用全栅极（Gate-All-Around, GAA）技术，而台积电则会在 3 纳米工艺中运用极紫外光刻（EUV）技术，并在 2nm 工艺中转给 GAA 技术。虽然三星在进度上略晚于台积电，但其规划通过提供“从开发到生产的一站式化解方法”吸引客户，据称可将代工项目“从设计到量产的时刻缩短约 20%”。